目前大规模的芯片制造配资操盘股票，均是光刻方案，即用光刻机将芯片设计图光刻至硅晶圆上，再利用沉积和刻蚀等工艺，去掉多余的部分，将这些设计图固定在晶圆上，形成电路图案。
在这个过程之中，光刻机是最重要的，其它设备虽然也重要，但相对逊色一筹。
所以全球唯一能够制造EUV光刻机的ASML，在全球才会如此重要，被称之为芯片发展的“引擎”。
不过，随着芯片工艺进入2nm，情况又不一样了，光刻的重要性下降，而刻蚀的重要性上来了，未来制造芯片，更依赖于高精的刻蚀机，而不是EUV光刻机了。
为何这么说？目前已知道的2nm芯片，均会采用GAAFET晶体管技术，不管是intel，还是台积电，或者是三星，进入2nm芯片时，均是GAAFET技术，而不是之前的FinFET晶体管技术了。
而在GAAFET之后，则会是CFET晶体管技术，再之后的技术路线，则暂时不清楚。
GAAFET晶体管技术，叫做环绕栅极场效应晶体管，它的方案是将栅极包裹在晶体管周围，晶体管组并联放置.
CFET晶体管技术叫做互补场效应晶体管，是将晶体管组堆叠在一起，从而节省晶圆上的空间。
这两种技术的设计，与之前的FinFET不一样，其结构更立体，是从四面八方“包裹”栅极，所以当光刻机将电路图刻录在晶圆上后，如何去掉晶圆上多余的材料至关重要，因为这种“包裹”栅极式的方案，对刻蚀的工艺要求更高。
对于晶圆厂而言，到时候不是如何去让光刻机记录精度更小，而是如何通过刻蚀去掉那些必要的多余部分，这个精度要求会更高。
所以当芯片进入2nm时，也许刻蚀机可能会比EUV光刻机更重要了，因为EUV光刻机的精度提升并没有刻蚀机的精度提升那么关键了。
而这对于国产芯片产业而言，肯定是好消息了，为何这么说，我们知道我们在EUV光刻机上，确实离ASML较远，短时间之内也追不上，但在刻蚀机领域，我们是处于全球顶尖水平的，这是最大的优势。
中微半导体的刻蚀机，早就进入了台积电的供应链，不输给美国的任何厂商配资操盘股票，精度也早就进入了3nm，并且是实现了真正的自主可控，核心部件全部是100%国产的，所以如果到时候2nm芯片制造中，刻蚀机更重要，当然中国芯片设备的机会就来了。
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